【产品名字】石墨烯晶体生长炉
【额定值温度】1200℃
【温度控制精密度】±1℃
【主要用途】石墨烯晶体生长炉高品质石墨烯的可控制备是各种各样基础研究和应用程序开发的基本,是急需解决开展深入分析的重特大基础学科难题之一。石墨烯的可控制备牵涉到对其尺寸，外貌，界限，分子结构的极致水平，夹杂等领域的控制。本机器设备以有机化学液相堆积方式(CVD)生长发育石墨烯，大规格石墨烯商品的制取，炉体管径200mm，加温区2000mm，12个控温两段控制，电子计算机DCS集成化控制，温场梯度方向控制，温场平稳，匀称，成品高。